原文链接： http://www.dbaleet.org/exadata_f20_flash/
在Exadata一体机中，大量的使用了flash加速技术以提高其I/O的读写性能。在之前的文章中有提到了磁盘的性能指标，目前仅限于传统磁盘的读写速率，还无法满足I/O密集型的OLTP系统的要求，Exadata可能会在这些方面出现I/O性能瓶颈。所以在Sun的Exadata V2时代开始，每个存储节点就提供四块96G的F20卡，也就是说每个存储节点提供384G的Flash存储空间。
下面具体来看一下F20卡的部分参数指标：
注意到其中的几个关键的性能指标：随机写88000 IOPS， 顺序写101000 IOPS， 顺序读1.1GB/s, 顺序写567MB/s，另外其访问延迟也是非常小。不过这只是F20卡的纯粹技术指标，而没有考虑DB和Exadata。在磁盘IOPS计算一文中曾经有提到，在数据库服务器上小于8k的I/O请求都是没有意义的。所以在Exadata上这个指标需要重新评估，所以在Exadata的datasheet中提到单块F20卡的Database IOP为375000/3/4=312500, 比4k的I/O请求测试出来的IOPS慢了3倍多（笑）。
除了性能的指标以外还有容量指标，单块F20卡的实际可用空间为96GB, 实际裸容量为128G。这是怎么回事呢？ 再回答这个问题之前，我们先来看一下F20卡内部结构的布局。
一块F20卡实际上是由四个固态闪存模块（FDOM）组成的， 也就是图中所表示的DOM（Disk on module）, 这个词没有合适的中文翻译，可以简单的认为它是一个ssd设备，但是提供更灵活的接口机制。例如F20卡就是使用PCIe的接口，直接插在主板上的，所以Oracle公司一再强调not flash disks, 就是为了说明这个PCIe的接口能够不受到磁盘控制器接口（例如SAS和SATA）速度的限制，单卡能够提供1GB/s的带宽，而4块卡其带宽几乎是线性扩展。
每个DOM包含8个（4个在前，4个在后）4GB的SLC NAND 组件， 一共为32GB，但是确只有24GB的空间是可寻址的，也就是说只有24GB是系统可识别的，另外的8GB作为备用空间用作地址重定向使用。这种方法是固态硬盘设备为了延长使用寿命最常用的办法。不过无须担心，NAND为企业级的闪存，通常比消费电子品所用的闪存寿命更长，使用寿命一般在5年以上。
F20卡还包含有电源存储模块ESM（Energy Storage Module ）, 也就是我们常说的电池。实际上它并不是常规意义上的电池，而是一个叫做超级电容（supercapacito）的东西。它和普通的电池相比， 具有寿命更长，充放电率高，功率更高的优点。不过这种ESM只有2-3年的寿命（Oracle Exadata Owner‘ Guide上说的是3-4年， 这里以 Sun Flash Accelerator F20 Energy Storage Module (ESM) Lifespan. [ID 1327000.1]文档为准，早期的计算ESM的耗损率以两年为基准，现在基本都是以三年的寿命来计算的），2-3年以后需要更换这个ESM，更换ESM的时候，可以用rolling的方式进行，只在存储节点段逐一进行，而不需要停止数据库。
如果ESM的电量耗尽，则闪存的写模式自动从write-back切换到write-through模式，造成性能下降。当然Exadata Smart Flash Cache（ESFC）这个特性早期只能使用write-through的模式，所以通常不是什么大问题，而使用write-through模式的FSFC性能提升比较有限。在最新版的Exadata 11.2.3.2这个版本（X3都是在这个版本以上）正式引入ESFC的write-back的写模式，这个特性才真正开始发挥ESFC的威力，下一篇将介绍这方面的内容。
F20卡的技术细节，可以在F20的用户手册中找到。
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